日前，三星在日本举办了三星铸造工厂论坛(SFF)2018年会，更新了技术路线图。

简单来说，主要有三点，一是基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产（初期EUV仅用于选择层），二是导入8nm LPU工艺，三是重申，围绕3nm节点，将引入闸极全环场效晶体管（Gate-all-aroundFET，GAAFET），来取代FinFET（鳍式场效应晶体管）。

关于第一点，三星称已经在韩国华城的S3工厂配置了多台ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻机，投资6万亿韩元的新EUV产线预计2019年竣工，2020年扩大生产规模。

目前，官宣采用三星7nm LPP工艺的是高通骁龙5G SoC。

关于第二点，8nm LPU（low power ultimate）是8nm LPP的改良版，后者比10nm LPP减少10%的芯片面积和10%的功耗，看起来LPU将进一步在功耗、面积上做文章。

由于三星7nm LPP补充产能需要等到2020年，此间就是8nm在市场大展拳脚的契机。按照ZDNet的说法，高通也是三星8nm的客户。

至于第三点，三星将FinFET技术的极限发挥到5nm LPE和4nm LPP，计划2019年风险试产。不过到了3nm时代，芯片越做越小，电流信道宽度不断变窄，难以控制电流方向，三星提出了GAAFET方案，定于2020年早些时候试产。

另外，三星还表示，2019年，单芯片封装技术3D SiP将准备就绪。

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